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SST39VF040-70-4C-WH

更新时间:2024-11-22 09:07:07
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    组织结构为512K×8;读、写操作电压2.7~3.6V;高可靠性,保证100000次读/写,数据保持100年;低功耗操作,动态电流:5mA(典型值),待机电流:1μA(典型值);扇垦擦除操作功能:均匀的4KB扇区;快速读取时间:70ns;锁存地址和数据;快速擦除操作和字节编程时间,扇区擦除操作时间:18ms(典型值),芯片擦除操作时间:70ms(典型值);字节编程时间:14μs(典型值),芯片重写时间:8s;自动调节写操作时间;写操作完成监测:Toggle位,Data#轮询;兼容CMOS I/O;符合JEDEC标准;所有无铅装置遵从RoHS标准; 温度范围:0~+70℃(商用级C)

  • 引脚图:

    SST39VF040-70-4C-WH引脚图

SST39VF040-70-4C-WH的中文资料 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:闪存
  • 数据总线宽度:8 bit
  • 存储类型:NOR
  • 存储容量:4 Mbit
  • 结构:Sectored
  • 接口类型:Parallel
  • Supply Voltage - Max:3.6 V
  • Supply Voltage - Min:2.7 V
  • 最大工作电流:20 mA
  • 工作温度:+ 70 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TSOP
  • 封装:Tray
  • 组织:4 KB x 128
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