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              STB21NM60N-1
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STB21NM60N-1

更新时间:2024-11-23 16:38:21
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STB21NM60N-1 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=17A
    电压参数：UDS=600V/UGS=±25V
    功  率：Ptot=140W
    其他参数：10V/0.19Ω,trr=486ns
    极性：N

STB21NM60N-1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STB21NM60N-1外观图

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MDmesh™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：220 毫欧 @ 8.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：66nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1900pF @ 50V
  • 功率 - 最大：140W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装：I2PAK
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-5728
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