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              STD120N4LF6
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STD120N4LF6

更新时间:2024-11-23 00:25:54
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STD120N4LF6外观图

  • 其它有关文件：STD120N4LF6 View All Specifications
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：STripFET™ DeepGATE™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫欧 @ 40A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4300pF @ 25V
  • 功率 - 最大：110W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：497-11097-6
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