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STD5N20L

更新时间:2024-11-23 21:27:30
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STD5N20L的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STD5N20L外观图

  • 典型关断延迟时间：14 ns
  • 典型接通延迟时间：11.5 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：5 nC V @ 5
  • 典型输入电容值@Vds：242 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：6.2mm
  • 封装类型：DPAK
  • 尺寸：6.6 x 6.2 x 2.4mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：33000 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：200 V
  • 最大漏源电阻值：0.7
  • 最大连续漏极电流：5 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：6.6mm
  • 高度：2.4mm
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