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STD60N3LH5

更新时间:2024-11-21 18:11:36
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STD60N3LH5外观图

  • 其它有关文件:STD60N3LH5 View All Specifications
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:STripFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:8.8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大:60W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-7971-6
STD60N3LH5 相关信息
  • ST采用新STripFET技术用于DC-DC转换器的功率MOSFET系列产品
    ...(Qg)。 除高能效外,新款MOSFET准许实际电路的开关频率高于正常开关频率,这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如,把电路的开关频率提高10%,输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的头两款产品,因为导通电阻小,栅电荷总量被大幅度降低,新系列产品性能优异,能效明显提高。两款产品都是30V(BVDSS)器件。因为栅电荷量(Qg)仅...
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