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              STN1N20
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STN1N20

更新时间:2024-11-22 02:40:06
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STN1N20的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STN1N20外观图

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MESH OVERLAY™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：15.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：206pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.9W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：497-3176-6
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