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2N4392-E3中文资料

2N4392-E3图片

2N4392-E3外观图

  • 大小:60KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: TRANSISTOR, JFET, N, 40V, 25MA; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-55V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:25mA to 75mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-5V; Power Dissipation Pd:1.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:TO-218X; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Package / Case:TO-218X; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel
  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:JFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 漏源电压 VDS:0.4 V
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA
  • 闸/源击穿电压:- 40 V
  • 配置:Single
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-18
  • 封装:Bulk
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):6 mS
  • 闸/源截止电压:- 2 V to - 5 V
  • 最大漏极/栅极电压:- 40 V
  • 最大工作温度:+ 200 C
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:1800 mW
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):60 Ohms
  • 工厂包装数量:200

2N4392-E3供应商

更新时间:2023-01-01 13:41:59
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