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MTD1N80E	文件：269.28 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignal	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP1N80E	文件：301.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N80E	文件：221.1 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=12OHMS TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
PJP1N80	文件：227.44 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •1A,800V,RDS(ON)=16Ω@VGS=10V,ID=0.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJU1N80	文件：227.44 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •1A,800V,RDS(ON)=16Ω@VGS=10V,ID=0.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SSF1N80D	文件：403.81 Kbytes Page：7 Pages	MainProductCharacteristics	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SW1N80A	文件：715.26 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWC1N80A	文件：715.26 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TSM1N80	文件：303.86 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheTSM1N80isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesig	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N80	文件：250.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N80CWRP	文件：303.86 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheTSM1N80isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesig	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N80CWRPG	文件：250.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
MTD1N80E
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHM

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