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MTD3N08LI	文件：360.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CDA3N08-G	文件：126.6 Kbytes Page：2 Pages	SteeringDiodeArrays-ESDSuppressors Features •(16kV)IEC61000-4-2capable •FastReverseRecoveryTime •FastTurnonTime •LowCapacitance •SMDPackages Applications •SignalTermination •SignalConditioning •ESDSuppression •TransientSuppression	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DN3N08TTE	文件：102.81 Kbytes Page：2 Pages	diodeterminatornetwork	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
DN3N08TTE	文件：211.15 Kbytes Page：2 Pages	diodeterminatornetwork	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
DN3N08TTEB	文件：102.81 Kbytes Page：2 Pages	diodeterminatornetwork	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
DN3N08TTEB	文件：211.15 Kbytes Page：2 Pages	diodeterminatornetwork	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
MTD3N08LD	文件：346.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP3N08L	文件：301.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RFD3N08	文件：69.22 Kbytes Page：8 Pages	3A,80V,0.800Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD3N08LandRFD3N08LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD3N08L	文件：69.22 Kbytes Page：8 Pages	3A,80V,0.800Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD3N08LandRFD3N08LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD3N08LSM	文件：69.22 Kbytes Page：8 Pages	3A,80V,0.800Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD3N08LandRFD3N08LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	Intersil Intersil Corporation	Intersil

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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