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MTP4N40E	文件：239.83 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 1.8 OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowith	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP4N40E	文件：301.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB4N40E	文件：78.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP4N40E	文件：78.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX4N40E	文件：72.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX4N40Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RFM4N40	文件：38.53 Kbytes Page：4 Pages	4A,350Vand400V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drivepower.These	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP4N40	文件：38.53 Kbytes Page：4 Pages	4A,350Vand400V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drivepower.These	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP4N40	文件：1.08671 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP4N40	文件：323.74 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex
STP4N40FI	文件：323.74 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex
SW4N40D	文件：671.55 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeSOT-223MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW4N40DC	文件：779.17 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-251S/TO-252MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

详细参数

型号：
MTP4N40
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MTP4N40E	onsemi(安森美)	23+	-	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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