| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司13年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
80000 |
2410+ |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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ONSOT-23 |
15000 |
24+ |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉SOT-323 |
16000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ONSOT-323 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司14年
留言
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onsemiSC-70,SOT-323 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市威雅利发展有限公司6年
留言
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ONSOT363 |
1000 |
0317+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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ON/安森美NA/ |
5850 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市纳立科技有限公司6年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)SC70 |
6000 |
23+ |
诚信服务，绝对原装原盘 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司14年
留言
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onsemi6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT323 |
68900 |
ON |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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5000 |
24+ |
公司存货 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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ONSC-76SOD-323 |
30000 |
24+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ONSC-70 |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ONSOT-363 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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ON/安森美SMD |
21000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司6年
留言
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ON/安森美NA |
25630 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ON/安森美SOT363 |
6852 |
1922+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
MUN5130采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MUN5130图片
MUN5130DW1T1G中文资料Alldatasheet PDF
更多MUN5130制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5130DW制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5130DW1制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors
MUN5130DW1T1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN5130DW1T1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN5130T1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN5130T1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
β>35
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.4