MBR1035中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书

厂商型号	MBR1035
参数属性	MBR1035 封装/外壳为TO-220-2；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220AC
功能描述	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton
文件大小	498.6 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	Kersemi Electronic Co., Ltd.
企业简称	KERSEMI
中文名称	Kersemi Electronic Co., Ltd.官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2024-11-22 22:58:00

MBR1035规格书详情

This series of SWITCHMODE power rectifiers uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. These state−of−the−art devices have the following features:

Features

• Guard−Ring for Stress Protection

• Low Forward Voltage

• 175°C Operating Junction Temperature

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• Low Power Loss/High Efficiency

• High Surge Capacity

• Low Stored Charge Majority Carrier Conduction

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

产品编号：
MBR1035
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220AC
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220AC

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