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ME4953	文件：1.05582 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MGF4953A	文件：205.79 Kbytes Page：5 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMT(LeadlessCeramicPackage) DESCRIPTION TheMGF4953A/MGF4954Asuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinCtoKbandamplifiers. Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=12GHz MGF4953A:NFmin.=0.40dB(Typ.) MGF49	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机半导体（Mitsubishi Electric Semiconductor）	Mitsubishi
MGF4953B	文件：119.6 Kbytes Page：5 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMTLeadlessCeramicPackage DESCRIPTION TheMGF4953Bsuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinKbandamplifiers. Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=20GHz NFmin.=0.55dB(Typ.) Highassociatedgain@f=20GHz	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机半导体（Mitsubishi Electric Semiconductor）	Mitsubishi
MI4953	文件：1.05563 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MSC4953W	文件：570.82 Kbytes Page：6 Pages	-30V(D-S)DualP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSI4953	文件：1.05538 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MT4953ACTR	文件：1.05535 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE4953	文件：1.05895 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE4953	文件：314.09 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4953A	文件：369.9 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4953A	文件：1.05507 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTE4953	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorBidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics	NTE
PE4953	文件：340.21 Kbytes Page：2 Pages	RFConnectorsTechnicalDataSheet	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
RCR4953SQ	文件：1.05501 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RM4953	文件：205.33 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RSM4953BDY	文件：1.05503 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RT4953	文件：1.055 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RU4953BH	文件：394.15 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RU4953H	文件：393.54 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS

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