| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MJ11016 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor •JunctionTemperatureto+200°C | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
MJ11016 | POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighGainDarlingtonPerformance •HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A •MonolithicConstructionwithBuilt−inBaseEmitterShun | MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | |
MJ11016 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS | WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司 | WINGS | |
MJ11016 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ..designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: *HighGainDarlingtonPerformance *HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@lc=20A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | |
MJ11016 | Power Transistors PowerTransistors TO-3Case(Continued) | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | |
MJ11016 | SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | |
MJ11016 | Silicon PNP Darlington Power Transistor | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 | ZSELEC | |
MJ11016 | High-Current Complementary Silicon Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
MJ11016 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
MJ11016 | High-Current Complementary Silicon Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
MJ11016 | 包装：散装 封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 120V 30A TO204 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
High-Current Complementary Silicon Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | ||
包装：管件 封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 120V 30A TO204 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
30A
- 最大工作频率：
>4MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDX68C,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
E-44
- vtest：
120
- htest：
4000100
- atest：
30
- wtest：
200
产品属性
- 产品编号：
MJ11016
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 300mA，30A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 20A，5V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M |
24+ |
TO 3 |
157379 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MOT |
24+ |
TO-3 |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
17+ |
TO-3 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
ON |
1430+ |
TO-3 |
5800 |
全新原装,公司大量现货供应,绝对正品 |
询价 | ||
MOTOROLA |
22+ |
SOP20(大) |
2250 |
100%全新原装公司现货供应!随时可发货 |
询价 | ||
MOT |
24+ |
TO-3 |
10000 |
询价 | |||
MOT |
23+ |
TO-3 |
6680 |
全新原装优势 |
询价 | ||
ONS |
16+ |
原厂封装 |
1500 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON |
16+ |
TO-3P |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
MOT |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |