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MJD117中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

MJD117
厂商型号

MJD117

参数属性

MJD117 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

286.91 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-22 22:58:00

晶体管资料

  • 型号:

    MJD117

  • 别名:

    MJD117三极管、MJD117晶体管、MJD117晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-127

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

MJD117规格书详情

DESCRIPTION

• High DC current gain

• Built-in a damper diode at E-C

• Lead formed for surface mount applications(NO suffix)

• Straight lead(IPAK,“ -I” suffix)

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

产品属性

  • 产品编号:

    MJD117

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    25MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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