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MJD117G	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117G	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117G	文件：144.73 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117G	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117-I	文件：59.25 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP117	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD117L	文件：394.75 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain.:hFE=1000(Min.),VCE=-4V,IC=-1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoMJD112/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MJD117PNP	文件：90.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposePowerandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD117RLG	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTRA117SS	文件：169.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitching,interfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTRA117SS	文件：2.71822 Mbytes Page：3 Pages	PNPDigitalTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBTRC117SS	文件：111.54 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountBiasResistorTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBTRC117SS	文件：2.6394 Mbytes Page：3 Pages	NPNDigitalTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBTRC117SS	文件：113.43 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountBiasResistorTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MR117	文件：179.1 Kbytes Page：3 Pages	RF/LO:2to18GHzIF:DCto300MHz	APITECH API Technologies Corp	APITECH
MRT117	文件：389.55 Kbytes Page：7 Pages	ThermopileTemperatureSensor	WINSENZhengzhou Winsen Electronics Technology Co., Ltd. 炜盛电子郑州炜盛电子科技有限公司	WINSEN
MTIL117	文件：138.4 Kbytes Page：8 Pages	6-PinDIPOptoisolatorTransistorOutput TheMTIL117deviceconsistsofagalliumarsenideinfraredemittingdiodeopticallycoupledtoamonolithicsiliconphototransistordetector. Applications •Appliances,MeasuringInstruments •GeneralPurposeSwitchingCircuits •ProgrammableControllers •PortableElectronics •Interfacing	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MW117	文件：107.7 Kbytes Page：2 Pages	UNIVERSAL6-12WATTSERIES	SLPOWER SLPower	SLPOWER
MZ117	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
N117	文件：147.88 Kbytes Page：1 Pages	PolyurethaneAdhesive-BackBumpers	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
NPIS117A	文件：86.21 Kbytes Page：4 Pages	NPISShieldedPowerInductors	NIC NIC-Components Corp.	NIC

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晶体管资料

型号：
MJD117(-1,T4)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
>25MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1316,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
A-80
vtest：
100
htest：
25000100
atest：
2
wtest：
20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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