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MMBZ12VALT1G	文件：546.82 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Zeners for ESD Protection DESCRIPTION ThedualmonolithicsiliconZenerdiodesaredesignedforapplicationsrequiringtransientovervoltageprotectioncapability.TheyareintendedforuseinvoltageandESDsensitiveequipmentsuchascomputers,printers,businessmachines,communicationsystems,medicalequipmentando	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
MMBZ12VALT1G	文件：70.23 Kbytes Page：8 Pages	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZ12VALT1G	文件：142.61 Kbytes Page：7 Pages	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZ12VALT1G	文件：148.56 Kbytes Page：8 Pages	Zener Diodes, 24 and 40 Watt Peak Power	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZ12VALT1G	文件：960.42 Kbytes Page：4 Pages	TVS Diode Array	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMBZ12VALT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBZ12VALT1G	文件：383.64 Kbytes Page：9 Pages	24and40WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBZ12VALT1	文件：70.23 Kbytes Page：8 Pages	24and40WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZH12VALT1G	文件：135.85 Kbytes Page：7 Pages	ZenerDiodes,24and40WattPeakPowerSOT??3DualCommonAnodeZeners	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBZ12VALT1G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
8.5V
电压 - 击穿（最小值）：
11.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
17V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
2.35A
功率 - 峰值脉冲：
40W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3

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