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MRF559	文件：208.6 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheUHFfrequencyrange. Features •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics •OutputPower=.5W •MinimumGain=8.0dB •Efficiency50 •CostEffectiveMacroXPackage •ElectrolessTinPlatedLeadsforImprovedSold	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF559	文件：136.27 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheUHFfrequencyrange. Features •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics •OutputPower=.5W •MinimumGain=8.0dB •Efficiency50 •CostEffectiveMacroXPackage •ElectrolessTinPlatedLeadsforImprovedSold	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF559	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带封装/外壳：Macro-X 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF559G	文件：136.27 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheUHFfrequencyrange. Features •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics •OutputPower=.5W •MinimumGain=8.0dB •Efficiency50 •CostEffectiveMacroXPackage •ElectrolessTinPlatedLeadsforImprovedSold	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF559GT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF559T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MUR559	文件：56.08 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR559	文件：60.03 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
OD-S559	文件：251.56 Kbytes Page：3 Pages	1310nmDFB-LDModule 1310nmDFB-LDModulewithbuilt-inopticalisolator APPLICATIONS •CATVreturnlink	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PZT559	文件：930.37 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlanar	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT559A	文件：705.14 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT559A-C	文件：704.52 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
QBS-559	文件：183.38 Kbytes Page：2 Pages	50WattPowerAmplifier	APITECH API Technologies Corp	APITECH
SNC559	文件：437.93 Kbytes Page：12 Pages	TwoChannelDirectDriveSpeechController? INTRODUCTION SNC559isatwo-channelvoicesynthesizerICwithPWMdirectdrivecircuit.Itbuilt-ina4-bittinycontrollerwithone4-bitinputport,two4-bitoutputportsandthree4-bitI/Oports.ByprogrammingthroughthetinycontrollerinSNC559,user’svariedapplicationsincludingvoic	SONiXSONiX Technology Company 松翰科技	SONiX
SS559	文件：272.84 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity GeneralDescription TheSS559isaunipolarHall-effectsensorICfabricatedfrommixedsignalCMOStechnology.Thedeviceintegratesavoltageregulator,Hallsensorwithdynamicoffsetcancellationsystem,Schmitttriggerandanopen-drainoutputdriver,allinasinglepackage. FeaturesandB	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS559ESOT	文件：272.84 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity GeneralDescription TheSS559isaunipolarHall-effectsensorICfabricatedfrommixedsignalCMOStechnology.Thedeviceintegratesavoltageregulator,Hallsensorwithdynamicoffsetcancellationsystem,Schmitttriggerandanopen-drainoutputdriver,allinasinglepackage. FeaturesandB	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS559ESOT	文件：289.66 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity GeneralDescription TheSS559isaunipolarHall-effectsensorICfabricatedfrommixedsignalCMOStechnology.Thedeviceintegratesavoltageregulator,Hallsensorwithdynamicoffsetcancellationsystem,Schmitttriggerandanopen-drainoutputdriver,allinasinglepackage. FeaturesandB	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS559EUA	文件：272.84 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity GeneralDescription TheSS559isaunipolarHall-effectsensorICfabricatedfrommixedsignalCMOStechnology.Thedeviceintegratesavoltageregulator,Hallsensorwithdynamicoffsetcancellationsystem,Schmitttriggerandanopen-drainoutputdriver,allinasinglepackage. FeaturesandB	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS559EUA	文件：289.66 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity GeneralDescription TheSS559isaunipolarHall-effectsensorICfabricatedfrommixedsignalCMOStechnology.Thedeviceintegratesavoltageregulator,Hallsensorwithdynamicoffsetcancellationsystem,Schmitttriggerandanopen-drainoutputdriver,allinasinglepackage. FeaturesandB	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS559KSOT	文件：289.66 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity GeneralDescription TheSS559isaunipolarHall-effectsensorICfabricatedfrommixedsignalCMOStechnology.Thedeviceintegratesavoltageregulator,Hallsensorwithdynamicoffsetcancellationsystem,Schmitttriggerandanopen-drainoutputdriver,allinasinglepackage. FeaturesandB	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
MRF559
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
频率 - 跃迁：
870MHz
增益：
9.5dB
功率 - 最大值：
2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
Macro-X
供应商器件封装：
Macro-X
描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X

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