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MRF6V2010NR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

10--450MHz,10W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs DesignedprimarilyforCWlarge--signaloutputanddriverapplicationswithfrequenciesupto450MHz.Devicesareunmatchedandaresuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications. •TypicalCWPerformance

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6V2010NR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6V2010NR1

包装:托盘 封装/外壳:TO-270AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 110V 220MHZ TO270-2

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF6V2010NR1_08

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MRF6V2010NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    220MHz

  • 增益:

    23.9dB

  • 功率 - 输出:

    10W

  • 封装/外壳:

    TO-270AA

  • 供应商器件封装:

    TO-270-2

  • 描述:

    FET RF 110V 220MHZ TO270-2

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更多MRF6V2010NR1供应商 更新时间2024-11-27 14:42:00