| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
2024 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力高端行业供应商 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美D2PAK |
20000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
2024 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力高端行业供应商 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司12年
留言
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ONSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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ONSOT-263 |
5000 |
24+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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OND2PAK3LE |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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ONTO-263(D2PAK |
3500 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市胜彬电子有限公司12年
留言
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ONTO-263 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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ON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON SemiconductorTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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OND2PAK3LEAD |
8866 |
24+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSD2PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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OND2PAK |
35400 |
24+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司15年
留言
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OND2PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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ONSTO-263 |
90000 |
24+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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ONTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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ON/安森美D2PAK |
48000 |
2022+ |
只做原装,原装,假一罚十 |
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NTB18N06图片
NTB18N06资讯
NTB18N06LT4G MOSFET ON安森美 60V15A TO263 N沟道
深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB18N06LT4G60V15AON
NTB18N06LT4
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NTB18N06中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB18N06功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06G功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06L功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LG功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LT4功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LT4G功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06T4功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06T4G功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube