| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
2024 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力高端行业供应商 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美D2PAK |
20000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
2024 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力高端行业供应商 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司12年
留言
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ONSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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ONTO-263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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ONT0-263 |
3685 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市正纳电子有限公司8年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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安森美T0-263 |
4550 |
21+ |
全新原装现货 |
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上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳电子）10年
留言
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3000 |
2023+ |
进口原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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ON/安森美NA/ |
7200 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON(安森美)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市胜彬电子有限公司12年
留言
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ON/安森美D2PAK |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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上海鑫科润电子科技有限公司8年
留言
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OND2PAK |
97 |
2004+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-263 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IORD2PAK |
2987 |
22+ |
绝对全新原装现货供应! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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ONTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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ON/安森美T0-263 |
24915 |
18+ |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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深圳市正纳电子有限公司12年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
NTB18N06L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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NTB18N06L资讯
NTB18N06LT4G MOSFET ON安森美 60V15A TO263 N沟道
深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB18N06LT4G60V15AON
NTB18N06LT4
百分百原装欢迎大家来咨询购买
NTB18N06L中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB18N06L功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LG功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LT4功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LT4G功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube