NE425S01-T1B_RENESAS/瑞萨_射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET中科航电

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  • 厂家型号:

    NE425S01-T1B

  • 产品分类:

    IC芯片

  • 生产厂商:

    RENESAS/瑞萨

  • 库存数量:

    893993

  • 产品封装:

    十字架

  • 生产批号:

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-11-27 17:25:00

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原厂料号:NE425S01-T1B品牌:RENESAS

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  • 芯片型号:

    NE425S01-T1B

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  • 企业简称:

    NEC【瑞萨】详情

  • 厂商全称:

    Renesas Electronics America

  • 中文名称:

    日本瑞萨电子株式会社

  • 内容页数:

    5 页

  • 文件大小:

    51.24 kb

  • 资料说明:

    C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号:

    NE425S01-T1B

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商

  • 企业:

    中科航电(深圳)电子集团有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    林翔

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