| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT-343 |
502911 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司9年
留言
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CELSOT-343 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT-343 |
502911 |
2024 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力高端行业供应商 |
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深圳市金华微盛电子有限公司6年
留言
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NECSOT-343 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司13年
留言
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50 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市中福国际管理有限公司7年
留言
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NECSOT-343 |
1000 |
23+ |
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司2年
留言
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RENESASN/A |
70000 |
2024+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEC/SC70-4 |
13500 |
2024 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力高端行业供应商 |
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深圳市正纳电子有限公司12年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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RENESASSOT343 |
36000 |
18+ |
一级代理/全新现货/长期供应! |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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RENASAGSOT-343 |
2000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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SOT343 |
54000 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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RENASAGSOT-343 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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CELSOT-343 |
15000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
389 |
00+ |
进口原盘环保原标 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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RENESASSOT-343 |
15000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT343 |
5000 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT343 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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NECSOT343 |
12580 |
24+23+ |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-343 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
NESG2101M05采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NESG2101M05图片
NESG2101M05-A价格
NESG2101M05-A价格：￥5.1011品牌：CEL
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NESG2101M05中文资料Alldatasheet PDF
更多NESG2101M05功能描述:射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel
NESG2101M05-A功能描述:射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel
NESG2101M05-EVPW24功能描述:射频硅锗晶体管 For NESG2101M05-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel
NESG2101M05-EVPW24-A功能描述:射频硅锗晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel
NESG2101M05-T1功能描述:射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel
NESG2101M05-T1A制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
NESG2101M05-T1-A功能描述:射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel