您好，欢迎来到114ic电子网！

首页>NP23N06YDG-E1-AY>芯片详情

NP23N06YDG-E1-AY_RENESAS/瑞萨_MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON宏兴瑞科技

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    NP23N06YDG-E1-AY

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    RENESAS/瑞萨

  • 库存数量：

    10000

  • 产品封装：

    原装正品现货

  • 生产批号：

    23+

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2024-11-25 9:01:00

数据手册 更多货源
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号：NP23N06YDG-E1-AY品牌：RENESAS

TDSON-8

  • 芯片型号：

    NP23N06YDG-E1-AY

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    RENESAS【瑞萨】详情

  • 厂商全称：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名称：

    瑞萨科技有限公司

  • 内容页数：

    8 页

  • 文件大小：

    226.04 kb

  • 资料说明：

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    NP23N06YDG-E1-AY

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

  • RoHS：

    是

  • 类别：

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列：

    -

  • 标准包装：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点：

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)：

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C：

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装：

    TO-220FP

  • 包装：

    管件

供应商

  • 企业：

    深圳市宏兴瑞科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺

  • 联系人：

    朱小姐

  • 手机：

    18923720076

  • 询价：
  • 电话：

    0755-23946805

  • 地址：

    深圳市福田区华强北上步工业区205栋3楼A05

相关型号

相近型号

客户服务 网站合作

  • Tel：+86-755-8246-9263

  • Email：114ic＠114ic.com

  • 投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号