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ATP301-TL-H	文件：359.63 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-ChannelPowerMOSFET –100V,–28A,75mΩ,ATPAK Features •ON-resistanceRDS(on)=57mΩ(typ.) •10Vdrive •InputcapacitanceCiss=4000pF(typ.) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP301-TL-H	文件：465.99 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
AUS301	文件：140.55 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERDIODE	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AVM301	文件：115.04 Kbytes Page：1 Pages	AutomaticWindingMachineforMiniatureCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
AVN301N	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BA301	文件：121.4 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicIGs MonolithicIGs ICsforAudioApplications •CDAmplifiers •Low-Frequency,Small-SignalAmplifiers	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BA301	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BA301	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BA301N	文件：206.76 Kbytes Page：3 Pages	GasDischargeTube	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 槟城电子深圳市槟城电子股份有限公司	Bencent
BA301N-D	文件：259.76 Kbytes Page：3 Pages	LowCapacitanceandInsertionLoss	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 槟城电子深圳市槟城电子股份有限公司	Bencent
BAV301	文件：61.09 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV301	文件：138.2 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications HighConductance FitsonSOD-323/SOT-23Footprint	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BAV301	文件：60.45 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES VOLTAGE120to250VoltsPOWER300mWatts FEATURES •FastswitchingSpeed. •SurfaceMountPackageIdeallySuitedForAutomaticInsertion. •SiliconEpitaxalPlanarConstruction. •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV301	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV301	文件：85.65 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV301	文件：716.59 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes Features •SavingSpace •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •HermeticSealedParts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •ElectricaldataidenticalwiththedevicesBAV100…BAV103 •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAV301	文件：329.049 Kbytes Page：2 Pages	120VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BAV301	文件：120.61 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode Features ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodes ♦Savingspace ♦Hermeticsealedparts ♦FitsontoSOD323/SOT23footprints ♦Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100...BAV103/BAV200...BAV203 Applications ✦Generalpurpose MechanicalData ✦Case:MicroMELFGlassCase ✦Weigh	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BAV301	文件：1.02278 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE Features ●Hermeticsealedparts ●Savingspace ●SiliconEpitaxialPlanarDiodes	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAV301	文件：90.97 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
ATP301-TL-H
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海鑫科润电子科技有限公司	ATP301-TL-H	ON	14+	ATPAK-2	12000	原装进口现货,一站式服务,可开17%增票18916238831	询价
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更多ATP301-TL-H供应商更新时间2024-11-22 14:04:00

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