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AUIRGP4066D1-E	文件：353.94 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology •Lowswitchinglosses •MaximumJunctiontemperature175°C •5μSshortcircuitSOA •SquareRBSOA •100ofthepartstestedfor4Xratedcurrent(ILM) •PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient •SoftRecoveryCo-PakDiode •Tightparamet	IRF International Rectifier	IRF
AUIRGP4066D1-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 140A 454W TO-247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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AUIRGP4066D1-E

文件：353.94 Kbytes

Page：13 Pages

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features •LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology •Lowswitchinglosses •MaximumJunctiontemperature175°C •5μSshortcircuitSOA •SquareRBSOA •100ofthepartstestedfor4Xratedcurrent(ILM) •PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient •SoftRecoveryCo-PakDiode •Tightparamet

IRF

International Rectifier

IRF

AUIRGP4066D1-E

文件：100 bytes

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 140A 454W TO-247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

AUIRGP4066D1

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International Rectifier

IRF

产品属性

产品编号：
AUIRGP4066D1-E
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
开关能量：
4.24mJ（开），2.17mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/200ns
测试条件：
400V，75A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 140A 454W TO-247AC

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