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AM3406	文件：893.74 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3406istheN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3406A	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION TheAM3406AisavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=30V RDS(ON),VGS=4.5V,IDS@5A=52mΩ RDS(ON),VGS=10V,IDS@6A=38mΩ AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION Highdensitycelldesignforultralowon-resistance Advancedtrenchprocesstechnology High	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3406AE3SR	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION TheAM3406AisavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=30V RDS(ON),VGS=4.5V,IDS@5A=52mΩ RDS(ON),VGS=10V,IDS@6A=38mΩ AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION Highdensitycelldesignforultralowon-resistance Advancedtrenchprocesstechnology High	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3406AE3SVR	文件：470.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DESCRIPTION TheAM3406AisavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=30V RDS(ON),VGS=4.5V,IDS@5A=52mΩ RDS(ON),VGS=10V,IDS@6A=38mΩ AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION Highdensitycelldesignforultralowon-resistance Advancedtrenchprocesstechnology High	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3406E3R	文件：893.74 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3406istheN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3406E3VR	文件：893.74 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3406istheN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3406N	文件：143.49 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel 30V (D-S) MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMS3406	文件：449.75 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) DESCRIPTION AMS3406istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorwhichisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.Thishighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageappl	AMS Advanced Monolithic Systems	AMS
AO3406	文件：110.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3406isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO3406LisaGreenProductord	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3406	文件：534.97 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3406	文件：597.23 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3406isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO3406LisaGreenProductorder	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3406	文件：1.79627 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=3.6A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3406-HF	文件：2.4594 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=3.6A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3406L	文件：110.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3406isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO3406LisaGreenProductord	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON3406	文件：424.36 Kbytes Page：4 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP3406	文件：32.81 Kbytes Page：2 Pages	1.1MHz,650mASYNCHRONOUSDC-DCBUCKCONVERTER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP3406	文件：638.62 Kbytes Page：12 Pages	1.1MHz,650mASYNCHRONOUSDC-DCBUCKCONVERTER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP3406A	文件：680.01 Kbytes Page：12 Pages	1.1MHz,800mASYNCHRONOUSDC-DCBUCKCONVERTER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP3406A	文件：655.89 Kbytes Page：13 Pages	1.1MHz,800mASYNCHRONOUSDC-DCBUCKCONVERTER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
BA3406AF	文件：121.4 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicIGs MonolithicIGs ICsforAudioApplications •CDAmplifiers •Low-Frequency,Small-SignalAmplifiers	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	AM3406	AIT-IC	23+	SOT-23	63000	原装正品现货	询价
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更多AM3406供应商更新时间2024-11-25 8:26:00

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