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AN28F512	文件：1.4206 Mbytes Page：24 Pages	512K (64K x 8) CMOS FLASH MEMORY 512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（美国科技公司）	Intel
AN28F512-120	文件：1.4206 Mbytes Page：24 Pages	512K (64K x 8) CMOS FLASH MEMORY 512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（美国科技公司）	Intel
AN28F512-150	文件：1.4206 Mbytes Page：24 Pages	512K (64K x 8) CMOS FLASH MEMORY 512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（美国科技公司）	Intel
28F512	文件：1.81909 Mbytes Page：30 Pages	512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（美国科技公司）	Intel
AM28F512	文件：484.31 Kbytes Page：35 Pages	512Kilobit(64Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheAm28F512isa512KbitFlashmemoryorganizedas64Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F512ispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedtobe	AMDAdvanced Micro Devices 超威半导体美国超威半导体公司	AMD
AM28F512A	文件：463.73 Kbytes Page：34 Pages	512Kilobit(64Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemorywithEmbeddedAlgorithms GENERALDESCRIPTION TheAm28F512Aisa512KbitFlashmemoryorganizedas64Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F512Aispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedtob	AMDAdvanced Micro Devices 超威半导体美国超威半导体公司	AMD
CAT28F512	文件：107.82 Kbytes Page：16 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F512	文件：428.32 Kbytes Page：15 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst
CAT28F512	文件：97.22 Kbytes Page：14 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst
M28F512	文件：523.409 Kbytes Page：20 Pages	512Kbit(64Kbx8BulkErase)FlasxhMemory DESCRIPTION TheM28F512FLASHMemoryisanon-volatilememorywhichmaybeerasedelectricallyatthechiplevelandprogrammedbyte-by-byte.Itisorganisedas64Kbytesof8bits.Itusesacommandregisterarchitecturetoselecttheoperatingmodesandthusprovidesasimplemicroprocessorint	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TMS28F512A	文件：311.1 Kbytes Page：21 Pages	65536BY8-BITFLASHMEMORY	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
AN28F512
制造商：
INTEL
制造商全称：
Intel Corporation
功能描述：
512K(64K x 8) CMOS FLASH MEMORY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AN28F512供应商更新时间2024-11-25 17:11:00

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