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APT80GA60B

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT80GA60B

High Speed PT IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT80GA60B

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT80GA60B

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 143A 625W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT80GA60S

HighSpeedPTIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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产品属性

  • 产品编号:

    APT80GA60B

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,47A

  • 开关能量:

    840µJ(开),751µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/158ns

  • 测试条件:

    400V,47A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 143A 625W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多APT80GA60B供应商 更新时间2024-11-19 17:56:00