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B112-BU

包装:散装 类别:连接器,互连器件 隔板块 描述:CONN BARRIER STRIP 12CIRC 0.63\

TEConnectivityAMPConnectorsTE Connectivity AMP Connectors

TEConnectivityAMPConnectorsTE Connectivity AMP Connectors

B112LP

IonizationDetector

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BB112

SiliconVariableCapacitanceDiode(ForAMtuningapplicationsSpecifiedtuningrange1??8.0V)

SiliconVariableCapacitanceDiode ●ForAMtuningapplications ●Specifiedtuningrange1…8.0V

SIEMENSSiemens Ltd

西门子德国西门子股份公司

BCL-112

CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,Un-PlatedWidePad

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCL-112

CompressionStyleRingTongueTerminal

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCL-112-PL

CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,PlatedWidePad

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCL-112-PL

CompressionStyleRingTongueTerminal

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCR112

NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit)

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ)

SIEMENSSiemens Ltd

西门子德国西门子股份公司

BCR112

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112F

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112F

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112T

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112U

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112W

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112W

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112W

NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit)

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ)

SIEMENSSiemens Ltd

西门子德国西门子股份公司

BCR112W

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

产品属性

  • 产品编号:

    B112-BU

  • 制造商:

    TE Connectivity AMP Connectors

  • 类别:

    连接器,互连器件 > 隔板块

  • 系列:

    B100, Buchanan

  • 包装:

    散装

  • 端子块类型:

    隔板接线座

  • 间距:

    0.630"(16.00mm)

  • 排数:

    2

  • 额定电流(安培):

    50A

  • 额定电压:

    600V

  • 线规:

    8-18 AWG

  • 顶部端接:

    螺钉

  • 底部端接:

    闭合式

  • 隔板类型:

    双壁(双)

  • 颜色:

    黑色

  • 描述:

    CONN BARRIER STRIP 12CIRC 0.63\

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更多B112-BU供应商 更新时间2024-11-22 14:00:00