选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
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N/ABGA |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
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TO-220 |
10000 |
24+ |
全新 |
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BU406H中文资料Alldatasheet PDF
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BU406HTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2