BA479G-TR_分立半导体产品二极管-射频-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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厂家型号：
BA479G-TR
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品二极管-射频
封装外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
包装：
托盘
更新时间：
2024-11-22 15:31:00

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原厂料号：BA479G-TR品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

资料说明：RF DIODE PIN 30V DO35

BA479G-TR是分立半导体产品 > 二极管 - 射频。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生产封装DO-204AH，DO-35，轴向的BA479G-TR二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。

芯片型号：
ba479g-tr
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
RF DIODE PIN 30V DO35

产品属性

类型
描述
产品编号：
BA479G-TR
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
托盘
二极管类型：
PIN - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：
30V
不同 Vr、F 时电容：
0.5pF @ 0V，100MHz
不同 If、F 时电阻：
50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz
工作温度：
125°C（TJ）
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
描述：
RF DIODE PIN 30V DO35

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BA479G-TR

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