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BDB106	文件：41.16 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BFR106	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR106	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiers •Forlinearbroadbandamplifiers •Specialapplication:antennaamplifiers •Complementarytype:BFR194(PNP)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFR106	文件：80.64 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •HighlinearitylownoiseRFtransistor •22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA •ForUHF/VHFapplications •Driverformultistageamplifiers •Forlinearbroadbandandantennaamplifiers •Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：523.74 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：622.35 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：73.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFR106	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFR106	文件：189.42 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR106	文件：229.01 Kbytes Page：10 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGF106C	文件：571.4 Kbytes Page：7 Pages	SIMCardInterfaceFilterandESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BR106	文件：23.02 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BR106	文件：119.96 Kbytes Page：2 Pages	10ASINGLE-PHASESILICONBRIDGE	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BR106	文件：145.32 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	BYTES Bytes	BYTES
BR106	文件：581.65 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-10Amperes FEATURES Surgeoverloadrating:200Amperespeak Lowforwardvoltagedrop	DCCOM Dc Components	DCCOM
BR106	文件：29.97 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BR106	文件：47.75 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BR106	文件：42.94 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGE：50-1000VCURRENT：10.0A FEATURES •Surgeoverloadratings-250Amperes •Lowforwardvoltagedrop	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
BR106	文件：60.51 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
BR106	文件：228.72 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10Amperes FEATURES ●Lowcost ●ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Idealforprintedcircuitboard ●Highisolationvoltagefromcasetoleads ●Hightemperaturesoldering	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS

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详细参数

型号：
BBL-106-T-E
功能描述：
CONN HEADER LOPRO 6POS .100 TIN
RoHS：
是
类别：
连接器，互连式 >> 板至板 - 接头，公引脚
系列：
BBL
产品培训模块：
Minitek127™ Connector System
产品目录绘图：
20021221 Series Side 1 20021221 Series_Shroud Vert Head SMD-16 Pos 20021221 Series_Shroud Vert Head-16 Pos-8.89
标准包装：
1
系列：
Minitek 127™ 20021221
连接器类型：
有罩
位置数：
16
加载位置的数目：
全部
间距：
0.050（1.27mm）
行数：
2
行间距：
0.050（1.27mm）
高度堆叠（配接）：
-
超出电路板的模制高度：
0.220（5.59mm）
触点接合长度：
-
安装类型：
表面贴装
端子：
焊接
触点表面涂层：
金
触点涂层厚度：
10µin（0.25µm）
特点：
-
颜色：
黑
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
155(CN2011-ZH PDF)
配套产品：
609-3708-6-ND - CONN RECEPT 16POS DUAL SMD609-3708-1-ND - CONN RECEPT 16POS DUAL SMD609-3757-ND - CONN RECEPT 16POS DUAL VERT T/H609-3708-2-ND - CONN RECEPT 16POS DUAL SMD
其它名称：
609-3702-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BBL-106-T-E供应商更新时间2024-11-22 16:05:00

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