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BC327	文件：47.22 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplement:BC337. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.driverandoutputstagesofaudioamplifiers.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC327	文件：160.89 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(PNP)	Motorola Motorola, Inc	Motorola
BC327	文件：424.28 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications? PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BC327	文件：267.67 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent:IC=-800mA. •DCCurrentGain:hFE=100~630(VCE=-1V,Ic=-100mA). •ForComplementarywithNPNtypeBC337.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC327	文件：130.93 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC327	文件：147.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC327	文件：256.959 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Transistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC327	文件：86.86 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS ■FEATURES SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages ComplementtoUTCBC337/338	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC327	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1.Generalpurposeamplifierapplications 2.PNPepitaxialsilicon,planardesign 3.CollectorcurrentIC=-800mA	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC327	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications Thesetypesaresubdividedintothreegroups-16,-25and-40,accordingtotheirDCcurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC327	文件：241.31 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (PNP) FEATURES Powerdissipation	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BC327	文件：242.05 Kbytes Page：19 Pages	45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors Generaldescription PNPgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC327	文件：213.71 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Designedfordriverandoutputstageofaudioamplifiers.	DCCOM Dc Components	DCCOM
BC327	文件：110.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP General PurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC327	文件：143.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PNPSiliconAFTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC337,BC338(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC327	文件：143.32 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors Features GeneralPurpose Threecurrentgaingroups ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) (1)Tapedinammopack4000 (Raster2.54) (2)Onreque	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC327	文件：122.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistorsBestSuitedforuseinDriverandOutputStagesofAudioAmplifier	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC327	文件：83.65 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent:IC=-800mA. •DCCurrentGain:hFE=100630(VCE=-1V,Ic=-100mA). •ForComplementarywithNPNtypeBC337.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC327	文件：80.67 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications Thesetypesaresubdividedintothreegroups-16, -25and-40,accordingtotheirDCcurrentgain.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC327	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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晶体管资料

型号：
BC327(-16...-40)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC297,BC638,BC727,BC827,3CK10E,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
BC327
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
260MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 45V 0.8A TO92

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