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BC556ATA	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556ATA	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556ATA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556B	文件：158.9 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors(PNPSilicon) AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556B	文件：220.19 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors PNPSilicon	Motorola Motorola, Inc	Motorola
BC556B	文件：47.79 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplements:BC546,BC547andBC548. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC556B	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS PNPSiliconTransistors	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC556B	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS APPLICATION PNPGeneralPurposeTransistors,EspeciallySuitedForUseinDriverStagesofAudioAmplifier,LowNoiseInputStagesofTapeRecorders,HI-FIAmplifiers,SignalProcessingCircuitsofTelevisionReceivers.	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BC556B	文件：690.11 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •150°CJunctionTemperature •ThroughHolePackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:TypeNumber •Halogenfreeavailableuponrequest	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC556B	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC556B	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556B	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556B	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC556B	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistors	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC556B	文件：294.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC556B	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC556B	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC556B	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePNPTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC556B	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageVCBO:BC556-80VBC557-50VBC558-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC556B	文件：385.57 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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产品属性

产品编号：
BC556ATA
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3

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