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BC559CTA	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC559CTA	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC559CTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC559XBK	文件：87.37 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BZX559	文件：326.76 Kbytes Page：3 Pages	Siliconplanarzenerdiodes	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C559	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) •Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CH559	文件：755.66 Kbytes Page：73 Pages	8-bitUSBsinglechipmicrocomputer	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CH559L	文件：755.66 Kbytes Page：73 Pages	8-bitUSBsinglechipmicrocomputer	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CH559T	文件：755.66 Kbytes Page：73 Pages	8-bitUSBsinglechipmicrocomputer	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CM559	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company	VCC
HMC559	文件：951.86 Kbytes Page：11 Pages	TelecomInfrastructure GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC559	文件：306.07 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-20GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC559	文件：404.64 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-20.0GHz GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC559	文件：429.42 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC559	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HN559	文件：370.43 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications??? PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
JC559	文件：44.43 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.30V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Low-noiseinputstagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
K559	文件：49.8 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSPEEDPOWERSWITCHING SILICONN-CHANNELMOSFET HIGHSPEEDPOWERSWITCHING	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
KRA559E	文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA559U	文件：89.86 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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产品属性

产品编号：
BC559CTA
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3

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深圳市高捷芯城科技有限公司	BC559CTA	onsemi(安森美)	23+	TO-92-3	2317	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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