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BCR185W中文资料西门子数据手册PDF规格书

BCR185W
厂商型号

BCR185W

参数属性

BCR185W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3

功能描述

PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

文件大小

34.81 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Siemens Ltd
企业简称

SIEMENS西门子

中文名称

德国西门子股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-20 14:38:00

晶体管资料

  • 型号:

    BCR185W

  • 别名:

    BCR185W三极管、BCR185W晶体管、BCR185W晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    表面帖装型(SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    DTA114YU,RN2307,UN5114,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0

BCR185W规格书详情

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

• Built in bias resistor (R1 = 10kΩ, R2 = 47kΩ)

产品属性

  • 产品编号:

    BCR185WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
2022
SOT323
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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