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BCV26	文件：43.89 Kbytes Page：8 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BCV27andBCV47. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.60V) •VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS •Whereveryhighamplificationisrequired.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCV26	文件：49.51 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES *Lowsaturationvoltage COMPLEMENTARYTYPE-BCV26-BCV27 BCV46-BCV47	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCV26	文件：141.95 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current) PNPSiliconDarlingtonTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Complementarytypes:BCV27,BCV47(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCV26	文件：36.39 Kbytes Page：4 Pages	PNP Darlington Transistor PNPDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcurrentsto800mA.SourcedfromProcess61.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BCV26	文件：49.55 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors PNPSiliconDarlingtonTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Complementarytypes:BCV27,BCV47(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCV26	文件：169.45 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BCV26	文件：318.76 Kbytes Page：8 Pages	PNP Darlington transistors FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.60V) •VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS •Whereveryhighamplificationisrequired. DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage.NPNcomplements:BCV27andBCV47.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCV26	文件：51.22 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES *Lowsaturationvoltage COMPLEMENTARYTYPEBCV26-BCV27 BCV46-BCV47 PARTMARKINGDETAILSBCV26-ZFD BCV46-ZFE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCV26	文件：111.16 Kbytes Page：5 Pages	PNP Darlington Transistor Description Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhigh currentgainatcollectorcurrentsto800mA.SourcedfromProcess61.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCV26	文件：130.229 Kbytes Page：2 Pages	PNP Darlington Transistors PNPDarlingtonTransistors forpreamplifierinputapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BCV26	文件：122.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BCV27andBCV47. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.60V) •VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS •Whereveryhighamplificationisrequired.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCV26	文件：76.8 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCV26	文件：298.3 Kbytes Page：9 Pages	PNP Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCV26	文件：528.69 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCV26	文件：217.08 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BCV26	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCV26_00	文件：217.08 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BCV26_07	文件：76.8 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCV26_11	文件：528.69 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCV26_15	文件：122.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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晶体管资料

型号：
BCV26
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCV46,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
β>20000
图片代号：
H-15
vtest：
40
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0.36

产品属性

产品编号：
BCV26
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
220MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCV26供应商更新时间2024-11-20 13:40:00

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