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BD246
厂商型号

BD246

参数属性

BD246 封装/外壳为TO-218-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 80V 10A SOT93

功能描述

PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS

文件大小

75.06 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Comset Semiconductor
企业简称

COMSET

中文名称

Comset Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-25 9:53:00

晶体管资料

  • 型号:

    BD246

  • 别名:

    BD246三极管、BD246晶体管、BD246晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    45V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD214/45,BD250,BD258/45,TIP34,3CD10B,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-62

  • vtest:

    45

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    80

BD246规格书详情

PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS

The BD246 series are PNP power transistors in a TO3PN envelope.

They are the power transistors for power amplifier and high-speed-switching applications.

The complementary is BD245, A, B, C

Compliance to RoHS.

产品属性

  • 产品编号:

    BD246B-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 2.5A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 10A SOT93

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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