BD535分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BD535 |
参数属性 | BD535 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 8A TO220 |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
61.85 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-11-25 14:41:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
BD535三极管、BD535晶体管、BD535晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
4A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD243A,BD587,3DD64C,
- 最大耗散功率:
50W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
4
- wtest:
50
BD535规格书详情
BD535属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。意法半导体(ST)集团制造生产的BD535晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
BD535
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
800mV @ 600mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 2A,2V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 60V 8A TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
24+ |
N/A |
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