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BD546B	文件：88.61 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD545Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD546B	文件：104.75 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD545Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
BD546B	文件：196.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-40V(Min)-BD546;-60V(Min)-BD546A-80V(Min)-BD546B;-100V(Min)-BD546C •ComplementtoTypeBD545/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD546B	文件：132.19 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-40V(Min)-BD546;-60V(Min)-BD546A-80V(Min)-BD546B;-100V(Min)-BD546C •ComplementtoTypeBD545/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplication	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD546B-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-218-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 15A SOT93	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
BD546C	文件：88.61 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD545Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD546C	文件：104.75 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD545Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
BD546C	文件：196.4 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-40V(Min)-BD546;-60V(Min)-BD546A-80V(Min)-BD546B;-100V(Min)-BD546C •ComplementtoTypeBD545/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD546C	文件：132.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-40V(Min)-BD546;-60V(Min)-BD546A-80V(Min)-BD546B;-100V(Min)-BD546C •ComplementtoTypeBD545/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplication	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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BD-A546RD	文件：250.44 Kbytes Page：3 Pages	superredchips,whicharemadefromAlGaAsonGaAssubstrate	BRIGHT 宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
BD-C546RD	文件：202.86 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BD-C546RD	文件：184.28 Kbytes Page：3 Pages	brightredchips,whicharemadefromGaPonGaPsubstrate	BRIGHT 宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
BD-E546RD	文件：184.13 Kbytes Page：3 Pages	superredchips,whicharemadefromAlGaAsonGaAssubstrate	BRIGHT 宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
BD-E546RD-A	文件：202.86 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BD-E546RD-A	文件：178.88 Kbytes Page：3 Pages	superredchips,whicharemadefromAlGaAsonGaAssubstrate	BRIGHT 宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
BD-F546RD	文件：143.5 Kbytes Page：3 Pages	0.56(14.20mm)DUALDIGITLEDDISPLAY	BRIGHT 宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
BD-F546RD-A	文件：202.86 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BLF546	文件：90.27 Kbytes Page：12 Pages	UHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOSpush-pulltransistordesignedforcommunicationstransmitterapplicationsintheUHFfrequencyrange. Thetransistorisencapsulatedina4-lead,SOT268balancedflangeenvelope,withtwoceramiccaps.Themountingflangeprovidesthe	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS-A546RD	文件：189.12 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE

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晶体管资料

型号：
BD546B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD710,BD744B,BD910,BD912,3CD9C,
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
15
wtest：
85

详细参数

型号：
BD546B
功能描述：
两极晶体管 - BJT W PNP Silicon
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD546B供应商更新时间2024-11-20 17:47:00

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