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BDW83C	文件：147.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeBDW84/84A/84B/84C/84D •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BDW83C	文件：115.65 Kbytes Page：8 Pages	NPN power Darlington transistor Description TheBDW83Cisanepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinTO-247plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. Features ■Highcurrentcapability ■Fastswitchingspeed ■HighDCcurrentgain Applications ■Linear	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BDW83C	文件：136.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeBDW84/84A/84B/84C/84D •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BDW83C	文件：67.87 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBDW83CisaSiliconEpitaxial-BaseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedecTO-218plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementarytypeisBDW84C. ■BDW83CISASTMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■COM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BDW83C	文件：182.28 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith BDW84,BDW84A,BDW84B,BDW84CandBDW84D ●150Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,6A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BDW83C	文件：121.44 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedec TO-218plasticpackage. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryareBDW84,BDW84A,BDW84B,BDW84C,B	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BDW83C	文件：139.21 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-lc=15A •HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@lc=6A •ComplementtoTypeBDW84/A/B/C APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BDW83C	文件：149.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BDW83C	文件：282.24 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
BDW83C	文件：120.59 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
BDW83C	文件：49.9 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BDW83C	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BDW83C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-218-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 15A TO218	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BDW83C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 15A TO247-3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BDW83C_07	文件：115.65 Kbytes Page：8 Pages	NPN power Darlington transistor Description TheBDW83Cisanepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinTO-247plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. Features ■Highcurrentcapability ■Fastswitchingspeed ■HighDCcurrentgain Applications ■Linear	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BDW83C_02	文件：49.9 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BDW83C-TO218	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-218-3，TO-218AC 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 15A TO218	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BDW83C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV65B,BDV67A,FH9D,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-62
vtest：
100
htest：
1000100
atest：
15
wtest：
150

产品属性

产品编号：
BDW83C
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
TO-218
描述：
TRANS NPN 100V 15A TO218

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