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BDY25B	文件：184.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=140V(Min.) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.6V(Max)@IC=2A •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •DesignedforLFsignalpoweamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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BDY25B

文件：184.16 Kbytes

Page：2 Pages

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=140V(Min.) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.6V(Max)@IC=2A •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •DesignedforLFsignalpoweamplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

BDY25B

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Bipolar NPN Device

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

详细参数

型号：
BDY25B
制造商：
TT electronics plc
功能描述：
Transistors Bipolar - BJT 120pF 200 Volts 50W TRANSISTOR, BIPOLAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市创新迹电子有限公司	BDY25B		23+		5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	BDY26	PHI	1738+	TO-3	8529	科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!	询价

更多BDY25B供应商更新时间2024-11-22 16:00:00

详细参数

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