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BFG193	文件：48.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFG193	文件：59.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFG193	文件：73.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFG193	文件：185.15 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFG193	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：60.24 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP193	文件：78.73 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：78.91 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：549.81 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP193T	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlargesignalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP193T	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP193TRW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlargesignalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP193TRW	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP193TW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlargesignalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP193TW	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP193W	文件：59.92 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP193W	文件：75.36 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,F=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP193W	文件：82.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP193W	文件：537.35 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFQ193	文件：28.06 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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晶体管资料

型号：
BF193W
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）_宽频带
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.035A
最大工作频率：
5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
15
htest：
5000000
atest：
0.035
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BF193W供应商更新时间2024-11-22 13:57:00

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