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BFG10W/X

UHF power transistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaplastic,4-pindual-emitterSOT343package. FEATURES •Highefficiency •Smallsizediscretepoweramplifier •900MHzand1.9GHzoperatingareas •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •Common

PhilipsNXP Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BFG10W/X

UHF power transistor

FEATURES Highefficiency Smallsizediscretepoweramplifier 900MHzand1.9GHzoperating areas Goldmetallizationensures excellentreliability. APPLICATIONS Commonemitterclass-AB operationinhand-heldradio equipmentupto1.9GHz. DESCRIPTION NPNsiliconplanarepi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

BFG10W-X

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

BFG10W/X,115

包装:卷带(TR) 封装/外壳:SOT-343 反向插针 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

详细参数

  • 型号:

    BFG10W_X

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NXP/恩智浦
2019+
SOT343
36000
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NXP/恩智浦
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多BFG10W_X供应商 更新时间2024-11-22 15:08:00