| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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NXP |
120 |
24+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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NXP2013+ |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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NXP2013+ |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
BLF246B,112采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BLF246B,112图片
BLF246B,112中文资料Alldatasheet PDF
更多BLF246B,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF DMOS 60W VHF P-P RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
产品属性
- 产品编号：
BLF246B,112
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
2 N 沟道（双）共源
- 频率：
175MHz
- 增益：
19dB
- 额定电流（安培）：
8A
- 功率 - 输出：
60W
- 封装/外壳：
SOT-161A
- 供应商器件封装：
CDFM8
- 描述：
RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A