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CEB603	文件：515.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB603	文件：529.22 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6030AL	文件：516.69 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,52A,RDS(ON)=11mΩ(typ)@VGS=10V. RDS(ON)=16mΩ(typ)@VGS=5V. ■Extralowgatecharge. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6030L	文件：516.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●30V,52A,RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6030LS2	文件：530.47 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●30V,52A,RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6031L	文件：513.64 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES •30V,60A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V. •SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). •Highpowerandcurenthandingcapability. •TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6031LS2	文件：531.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,60A,RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6036	文件：427.23 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,135A,RDS(ON)=4.6mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6036L	文件：695.63 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,144A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB603AL	文件：515.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB603ALS2	文件：529.22 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

详细参数

型号：
CEB603
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更多CEB603供应商更新时间2024-11-22 16:42:00

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