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CJU02N80

Plastic-Encapsulate MOSFETS

ZPSEMI

ZP Semiconductor

CJU02N80

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

CJP02N80

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

CJP02N80

N-ChannelPowerMOSFET

ZPSEMI

ZP Semiconductor

SPP02N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·IndustrialwithhighDCbulkvoltage ·Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSRF02N80SL

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

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TO-252-2L(4R)
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更多CJU02N80供应商 更新时间2024-11-24 14:02:00