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DAP222	文件：90.42 Kbytes Page：6 Pages	SOT-416/SC-90 PACKAGE COMMON ANODE DUAL SWITCHING DIODE SURFACE MOUNT ThisCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSOT–416/SC–90packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. •Fasttrr •LowCD •Available	Motorola Motorola, Inc	Motorola
DAP222	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222	文件：63.89 Kbytes Page：4 Pages	Ultra high speed switching Features 1)Fourtypesofpackagingareavailable. 2)Highspeed.(trr=1.5nsTyp.) 3)Suitableforhighpackingdensitylayout. 4)Highreliability. Application Ultrahighspeedswitching	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DAP222	文件：530.2 Kbytes Page：3 Pages	Switching diode Features 1)Fourtypesofpackagingareavailable. 2)Highreliability. 3)Highspeed.(Typicalrecoverytime=1.5ns) 4)Suitableforhighpackingdensitylayout. Applications Ultrahighspeedswitching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAP222	文件：57.17 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Diode SWITCHINGDIODE FEATURES: PowerdissipationPD:150mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentIF:100mA Collector-basevoltageVR:80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
DAP222	文件：173.17 Kbytes Page：2 Pages	100 mA Switching Diode 80 Volts Features •Highreliability •Highspeed •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DAP222	文件：344.84 Kbytes Page：1 Pages	Switching Diodes ■Features ●Highspeed ●Suitableforhighpackingdensitylayout ●Highreliability	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
DAP222	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222	文件：87.77 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING DIODE FEATURES: PowerdissipationPD:150mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentIF:100mA Collector-basevoltageVR:80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
DAP222	文件：151.25 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Fast Switching Diode FEATURES •Ultra-Smallsurfacemountpackage. •Fastswitchingspeed. •Forgeneralpurposeswitchingapplications. •Lowconductance. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
DAP222	文件：97.21 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE DualDiodeCommonAnodeandCathode FastSwitching SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
DAP222	文件：2.67955 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHING DIODE SWITCHINGDIODE FEATURES: •Highspeed •Suitableforhighpackingdensitylayout •Highreliability	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
DAP222	文件：105.82 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Fast Switching Diode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
DAP222	文件：51.75 Kbytes Page：3 Pages	Ultra high-speed switching diode arrays	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAP222	文件：998.44 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAP222	文件：368.59 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAP222	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：SC-75，SOT-416 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222G	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222M	文件：63.89 Kbytes Page：4 Pages	Ultra high speed switching Features 1)Fourtypesofpackagingareavailable. 2)Highspeed.(trr=1.5nsTyp.) 3)Suitableforhighpackingdensitylayout. 4)Highreliability. Application Ultrahighspeedswitching	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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产品属性

产品编号：
DAP222
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
100mA（DC）
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
150°C（最大）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SC-75，SOT-416
描述：
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DAP222供应商更新时间2024-11-22 10:26:00

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