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DGD2181MS8-13	文件：607.2 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinaHalfBridgeConfiguration -1.9ASource/2.3ASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLow-SideGateDriverandLogicSupply:10Vto20V -	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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功能描述

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DGD2181MS8-13

文件：607.2 Kbytes

Page：11 Pages

HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8

Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinaHalfBridgeConfiguration -1.9ASource/2.3ASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLow-SideGateDriverandLogicSupply:10Vto20V -

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DGD2181MS8-13

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HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DGD2181MS8-13

文件：100 bytes

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包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

PAM

产品属性

产品编号：
DGD2181MS8-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
40ns，20ns
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO 类 TH
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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